Qallium arsenid (ing. gallium arsenide (GaAs)) — mikroelektronikada yüksək sürətli mikrosxemlərin hazırlanmasında istifadə olunan kimyəvi birləşmə. Qallium arse

Qallium arsenid
Qallium arsenid
Ümumi
Kimyəvi formulu	GaAs
Termik xüsusiyyətlər
Ərimə nöqtəsi	1.240 °C
Təsnifatı
CAS-da qeyd. nöm.	1303-00-0
PubChem	14770, 25032019
EINECS-də qeyd. nöm.	215-114-8
SMILES	[Ga]#[As];
InChI	InChI=1S/As.Ga JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N;
RTECS	LW8800000
BMT nömrəsi	1557
ChemSpider	14087, 22199223
	Məlumatlar normal şərait (25 °C, 100 kPa) üçün verilmişdir.

Qallium arsenid (ing. gallium arsenide (GaAs)) — mikroelektronikada yüksək sürətli mikrosxemlərin hazırlanmasında istifadə olunan kimyəvi birləşmə. Qallium arsenid əsasında hazırlanmış mikrosxemlər onların silisiumdan olan analoqlarından sürətli işləyir, temperatur dəyişikliklərinə daha dözümlüdür, daha az enerji istifadə edir və radiasiyaya daha dayanıqlıdır. Superkompüterlərdə və hərbi məqsədlər üçün istifadə olunan kompüterlərdə də bu texnologiya əsas götürülüb.

Qallium arsenidin kristal quruluşu zincblende.

Ədəbiyyat

İsmayıl Calallı (Sadıqov), “İnformatika terminlərinin izahlı lüğəti”, 2017, “Bakı” nəşriyyatı, 996 s.